IRL630STRR
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRL630STRR |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 5V |
Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRL630 |
IRL630STRR Einzelheiten PDF [English] | IRL630STRR PDF - EN.pdf |
IR 8-SOIC
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
IR D2-PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRL630STRRVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|